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Qihuweiモスフェットトランジスタ250W 82V 140A 82H140オリジナルNCE82H140

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Qihuweiモスフェットトランジスタ250W 82V 140A 82H140オリジナルNCE82H140
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キー属性

中核事業の明細

モデル番号
NCE82H140
タイプ
Mosfet
銘柄
Original
パッケージのタイプ
穿孔

その他の属性

取付タイプ
穴を通して
説明
Mosfetトランジスタ250W 82V 140A
原産地
Guangdong, China
パッケージ/ケース
TO-220
タイプ
IGBTトランジスタ
実用温度
150 °C (TJ), -55 °C ~ 150 °C (TJ)
シリーズ
82H140
d/c
-
適用
一般目的
サプライヤータイプ
オリジナルメーカー
クロスリファレンス
標準
メディア利用可能
データシート
品名
トランスNPN 230V 15A TO-264
電流コレクタ (Ic) (最大)
15A
電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)
230V
Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic
3V @ 800mA、8A
電流コレクタカットオフ (最大)
5uA (ICBO)
を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce
55 @ 1A、5V
電源-Max
150W
周波数遷移
30MHz
動作温度
オリジナル
マウンティング類
オリジナル
抵抗-ベース (R1)
-
抵抗-エミッタベース (R2)
-
FET タイプ
Nチャネル
FET 機能
標準
ドレンにソース電圧 (Vdss)
82 V
電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C
140A (Tc)
Rds (最大) @ Id 、 Vgs
-
Vgs (th) (最大) @ Id
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
周波数
-
定格電流 (アンペア)
-
雑音指数
-
パワー出力
-
電圧定格
-
ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)
4.5V、10V
Vgs (最大)
-
IGBT タイプ
-
構成
標準
Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic
-
入力容量 (Cies) @ Vce
-
入力
-
NTC サーミスタ
-
電圧内訳 (V (BR) GSS)
-
電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
電流ドレイン (Id)-Max
-
電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id
0.85mOhm @ 50A、10V
抵抗 RDS (On)
-
電圧
-
電圧出力
-
電圧オフセット (Vt)
-
電流ゲートアノードに漏れ (Igao)
-
電流谷 (Iv)
-
電流ピーク
-
アプリケーション
-
ブランド
オリジナル
ストッキング時間
3-5day
配送先住所
深セン

包装と配送

販売単位:
単一品目
単一のパッケージサイズ:
15X15X5 cm
単一の総重量:
kg

リードタイム

サプライヤーからの製品説明

10 - 99 ピース
JP¥364
100 - 999 ピース
JP¥141
>= 1000 ピース
JP¥45

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