DTC114EET1G小信号バイポーラトランジスタデジタルBJTNPN 50V 100mA 300mW 3ピンSOT-416集積回路DTC114EET1G

Name: DTC114EET1G小信号バイポーラトランジスタデジタルBJTNPN 50V 100mA 300mW 3ピンSOT-416集積回路DTC114EET1G
Brand: Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.
SKU: 1600857393793
Price: 0.41 USD
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Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd. 4 yrs

DTC114EET1G小信号バイポーラトランジスタデジタルBJTNPN 50V 100mA 300mW 3ピンSOT-416集積回路DTC114EET1G

主要な属性

業界特有の属性

モデル番号

DTC114EET1G

タイプ

Mosfet

銘柄

Original

パッケージのタイプ

表面実装

その他属性

説明

Standard

原産地

Guangdong, China

パッケージ/ケース

SC-75, SOT-416

実用温度

-55℃ ~ 150℃

d/c

NEW

適用

Power Management, Industrial

サプライヤータイプ

オリジナルメーカー, Other

メディア利用可能

データシート, 写真, EDA/CAD モデル, Other

電流コレクタ (Ic) (最大)

100mA

電圧コレクタエミッタ内訳 (最大)

50V

Vce 飽和 (最大) @ Ib 、 Ic

250mV @ 300uA, 10mA

電流コレクタカットオフ (最大)

500nA

を Dc 電流ゲイン (hFE) (分) @ Ic 、 Vce

35 @ 5mA, 10V

電源-Max

200mW

周波数遷移

50MHz

マウンティング類

スルーホール

抵抗-ベース (R1)

10 kOhms

抵抗-エミッタベース (R2)

10 kOhms

FET タイプ

N-Channel

FET 機能

適用されません

ドレンにソース電圧 (Vdss)

100V

電流連続ドレイン (Id) @ 25 °C

170mA (Ta)

Rds (最大) @ Id 、 Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (最大) @ Id

2.6V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

180nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

20pF @ 25V

周波数

定格電流 (アンペア)

70.0 mA

雑音指数

パワー出力

200 mW

電圧定格

50.0 V

ドライブ電圧 (最大 Rds で、最小 Rds On)

10V

Vgs (最大)

±20V

IGBT タイプ

構成

適用されません

Vce (on) (最大) @ Vge 、 Ic

入力容量 (Cies) @ Vce

入力

NTC サーミスタ

電圧内訳 (V (BR) GSS)

電流排水 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

電流ドレイン (Id)-Max

電圧カットオフ (VGS オフ) @ Id

抵抗 RDS (On)

電圧出力

≥300 mV

電圧オフセット (Vt)

電流ゲートアノードに漏れ (Igao)

電流谷 (Iv)

電流ピーク

Bom Service

Available

Product type

Electronic Component

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High Quality

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Available

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