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Onsemi/Fairchild FDD86326 MOSFET 80VNチャネルPowerTrench MOSFET

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Onsemi/Fairchild FDD86326 MOSFET 80VNチャネルPowerTrench MOSFET

キー属性

中核事業の明細

モデル番号
FDD86326
タイプ
Mosfet
銘柄
onsemi

その他の属性

取付タイプ
SMD/SMT
説明
Onsimi MOSFET
原産地
United States
パッケージ/ケース
DPAK-3 (TO-252-3)
タイプ
MOSFET
実用温度
-55 Cから + 150 C
シリーズ
FDD86326
d/c
22 +/23 +
トランジスタタイプ
1 Nチャネル
トランジスタ極性
Nチャネル
チャンネル数
1チャンネル
Vds-ドレイン-ソース破壊電圧
80 V
Id-連続ドレイン電流
37 A
Vgs-ゲート-ソース電圧
-20 V、 + 20 V
Vgs th-gate-source閾値電圧
3.1 V
Qgゲートチャージ
7.6 nC
操作温度
-55 Cから + 150 C
Pd-パワー散逸
62 W
転送相互コンダクタンス-最小
21 S

リードタイム

サプライヤーからの製品説明

2500 - 12499 ピース
JP¥161
>= 12500 ピース
JP¥153

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